原创 中国对美国出手：卡住14nm及以下芯片、256层+存储，目标明确
众所周知，之前美国针对中国芯片产业，目标很明确，那就是卡住14nm的逻辑芯片，128层NAND闪存芯片，18nm的DRAM内存。
比这些产品更先进的制造设备，不允许卖给中国，美国想用这样来拖慢中国芯片发展速度。
当然，后来中国突破了封锁，比如逻辑芯片早突破了14nm，NAND闪存也突破了128层，DRAM也突破了18nm，但背后的困难，大家都是懂的，且就算突破了，且产能也有限，毕竟先进设备无法敞开买，只能通过国产替代，或旧设备改造。
但这样只承受，不反抗，肯定不是我们的作法。
这不，在美国多轮半导体封锁后，我们也开始反击了，并且是针对美国的“精准反制”。
怎么精准的？商务部正式宣布——对14nm及以下逻辑芯片、256层及以上存储芯片相关的稀土物项实施出口管制！
为何会是14nm及以下，256层及以上呢，因为这才是先进芯片的关键制程。
如果卡高了，比如28nm芯片，比如128层存储，那没有意义，范围太广，伤人也伤自己。再低太了，那范围又太小了，打不痛对方。
要知道中国一直以来，都掌握着全球60%以上的稀土产量、90%以上的冶炼能力，过去美国大量采购中国稀土，来进行芯片制造，进行军工装备等的生产，可以说高度依赖中国的稀土。
所以中国这次针对用于14nm及以下逻辑芯片，256层及以上的存储芯片，真的是精准打击了，同时这背后还有一个巨大的意义，那就是中国开始将将稀土出口与高端芯片制造能力直接挂钩了。
这也意味着，不只美国可以卡中国的先进芯片，中国也一样可以卡美国的先进芯片，之前不卡，是因为想让美国迷途知返，谁知道这老六一点都不清白，所以让他清醒一点。
接下来，估计在芯片产业上，双方的博弈会进一步升级，所以接下来真正要拼的，还是中国在先进芯片上的制造能力，如果我们完全卡不住，照样可以制造先进芯片，那么美国就会真正败下阵来了。