智创芯源申请半导体结构的制备方法和半导体结构专利，提高半导体结构在进行互联工艺时的可靠性
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2025-05-21 11:35:19
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金融界2025年5月21日消息，国家知识产权局信息显示，北京智创芯源科技有限公司申请一项名为“半导体结构的制备方法和半导体结构”的专利，公开号CN120018603A，申请日期为2025年01月。
专利摘要显示，本发明涉及半导体技术领域，公开一种半导体结构的制备方法和半导体结构。半导体结构的制备方法包括：提供芯片；在芯片的表面形成暴露出芯片的待互联位置的光刻胶层；以光刻胶层为掩膜，在芯片的待互联位置形成打底层，打底层覆盖待互联位置及其临接的光刻胶层的侧壁呈凹槽状；在打底层的凹槽上形成互联电极柱，互联电极柱的至少部分结构位于凹槽内；去除光刻胶层。凹槽的侧壁对互联电极柱的至少部分结构起到加固保护作用，能够更好的分散光刻胶层对互联电极柱的牵引力，从而避免互联电极柱发生断裂或倾斜，提高互联电极柱高度的均匀性，进而提高半导体结构在进行互联工艺时的可靠性。
天眼查资料显示，北京智创芯源科技有限公司，成立于2020年，位于北京市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本10945.6522万人民币。通过天眼查大数据分析，北京智创芯源科技有限公司参与招投标项目14次，财产线索方面有商标信息3条，专利信息96条，此外企业还拥有行政许可3个。
来源：金融界
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