沃孚半导体申请用于欧姆和肖特基接触的碳化硅装置专利，包括具有有源区域和边缘终止区域的半导体层
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2025-05-21 11:35:24
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金融界2025年5月21日消息，国家知识产权局信息显示，沃孚半导体公司申请一项名为“利用单个金属化过程用于欧姆和肖特基接触的碳化硅装置”的专利，公开号CN120019475A，申请日期为2023年09月。
专利摘要显示，一种半导体装置包括具有有源区域和边缘终止区域的半导体层，以及在半导体层上、在半导体层的有源区域中的第一金属区域。第一金属区域包括第一金属。该装置还包括在半导体层上、在半导体层的边缘终止区域中的第二金属区域。第二金属区域包括第一金属。该装置包括在半导体层上、在半导体层的有源区域中的第一金属层。第一金属层包括第二金属，并且金属层接触第一金属区域并且在第一金属区域之间的空间中接触半导体层。
来源：金融界
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