晶合集成获得发明专利授权：“一种半导体结构的制备方法”_资源案例

晶合集成获得发明专利授权：“一种半导体结构的制备方法”

创始人

2025-11-13 03:36:24

0次

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体结构的制备方法”，专利申请号为CN202511212097.7，授权日为2025年11月11日。

专利摘要：本发明提供一种半导体结构的制备方法。制备方法包括如下步骤：提供基底，基底包括衬底、垫氧化层和至少一个沟槽组，沟槽组包括第一沟槽和第二沟槽，垫氧化层形成于衬底的表面，第一沟槽和第二沟槽设置于衬底内且上部贯穿垫氧化层；在第一沟槽的侧壁上和第二沟槽的侧壁上形成第一阻挡层；在第一阻挡层的侧壁上形成第二阻挡层；在第二沟槽两侧的第二阻挡层之间形成隔离层；将第二阻挡层替换成自下而上依次设置的第一外延层和重掺杂区，将第一阻挡层替换成自下而上依次设置的第二外延层和轻掺杂区；在第一沟槽与第二沟槽之间的沟道上形成栅极结构，在栅极结构的两侧形成侧墙结构。本发明的制备方法可简化制作工艺，提高生产效率，降低制作成本。

今年以来晶合集成新获得专利授权327个，较去年同期增加了40.34%。结合公司2025年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了6.95亿元，同比增13.13%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目632次；财产线索方面有商标信息53条，专利信息1428条，著作权信息7条；此外企业还拥有行政许可21个。

数据来源：天眼查APP

以上内容为证券之星据公开信息整理，由AI算法生成（网信算备310104345710301240019号），不构成投资建议。

方法沟槽信息天眼集成导体阻挡层晶合结构专利垫氧化层衬底挡层

上一篇：海尔智家获得实用新型专利授权：“用于冰箱的门体开关结构及冰箱”

下一篇：上海新阳获得发明专利授权：“一种光敏剂及含其的i线光刻胶和制备方法”

晶合集成获得发明专利授权：“一种半导体结构的制备方法”

相关内容

热门资讯