旺宏电子申请存储器元件专利，存储器元件可以是具有高容量与高性能的 3D NAND 快闪存储器
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2025-05-15 10:44:07
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金融界 2025 年 3 月 29 日消息，国家知识产权局信息显示，旺宏电子股份有限公司申请一项名为“存储器元件”的专利，公开号 CN 119697994 A，申请日期为 2024 年 1 月。

专利摘要显示，本公开提供了一种存储器元件，该存储器元件包括：停止结构、堆叠结构以及分隔墙。停止结构位于基底上方；堆叠结构位于所述停止结构上，其中所述堆叠结构包括交替的多个绝缘层与多个导体层；分隔墙在所述堆叠结构以及部分所述停止结构中延伸。所述停止结构包括顶层，所述顶层中具有多个抗氧化原子。存储器元件可以是具有高容量与高性能的 3D NAND 快闪存储器。

来源：金融界

显示 金融界 元件 存储器 绝缘层 包括 结构 高容量 专利 高性能 分隔墙

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