旺宏电子申请三维存储器专利，可为具有高容量与高性能的3D AND快闪存储器或3D NOR快闪存储器
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2025-05-15 10:44:11
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金融界2025年5月14日消息，国家知识产权局信息显示，旺宏电子股份有限公司申请一项名为“三维存储器”的专利，公开号CN119967817A，申请日期为2023年11月。
专利摘要显示，本公开提供一种三维存储器。该三维存储器包括多个块元、位线晶体管结构、第一上部导电层和第二上部导电层。位线晶体管结构设置于多个块元中的第一子块元与第二子块元之间。第一上部导电层包括多条区域位线、多条区域源极线和导电图案。多条区域位线包括彼此分隔的第一组区域位线和第二组区域位线，多条区域位线中的两条相邻的区域位线设置于相邻的两条区域源极线之间。导电图案设置于第一组区域位线与第二组区域位线之间，且设置于相邻的两条区域源极线之间。第二上部导电层设置于第一上部导电层上且包括全域位线，全域位线通过导电图案与多条区域位线电性连接。本公开提供的三维存储器可为具有高容量与高性能的3D AND快闪存储器或3D NOR快闪存储器。
来源：金融界
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