南亚科技申请切割结构半导体元件等相关专利，提供一种切割结构相关制备方法
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2025-05-22 09:10:12
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金融界2025年5月22日消息，国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“切割结构、包含该切割结构的半导体元件及其制备方法”的专利，公开号CN120015741A，申请日期为2024年02月。
专利摘要显示，本公开提供一种切割结构、包含该切割结构的半导体元件及该半导体元件的制备方法。该切割结构包括二主要切割绝缘层，位于一次要切割绝缘层的两端并向上延伸，其中，该二主要切割绝缘层和该次要切割绝缘层共同构成一U形剖面轮廓；一导电部，位于该次要切割绝缘层上并被该二主要切割绝缘层所横向包围；以及一覆盖部，位于该导电部上并被该二主要切割绝缘层所横向包围。
来源：金融界
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