常州银河电器申请低电场强度二极管芯片扩散工艺专利，保证产品的稳定性和良品率
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2025-11-25 11:07:19
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国家知识产权局信息显示，常州银河电器有限公司申请一项名为“低电场强度二极管芯片扩散工艺”的专利，公开号CN 121001363 A，申请日期为2025年7月。专利摘要显示，本发明涉及一种低电场强度二极管芯片扩散工艺，步骤如下：硅片预处理；液态硼源旋涂；热扩散；硼面减薄；硅片处理；液态磷源旋涂；二次热扩散；双面减薄及表面处理；氧化退火处理。本发明采用前硼再磷的扩散方法，在硼扩散后进行双面减薄，去除硼浓度较高的表面层，硅片表面的硼浓度降低，减少了晶格畸变，降低错位和缺陷；减少硅片表面硼的堆积，降低硼扩散带来的不均匀性和后续工艺难题，保证产品的稳定性和良品率；减少硅片中的复合中心，降低载流子的复合几率，提高载流子寿命和迁移率，均匀分布的硼不会在硅晶格中引入额外应力，防止硅片的翘曲度增加；保证腐蚀的速率一致，提升器件的整体性能。
天眼查资料显示，常州银河电器有限公司，成立于1994年，位于常州市，是一家以从事电气机械和器材制造业为主的企业。企业注册资本8927.29345万人民币。通过天眼查大数据分析，常州银河电器有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目6次，财产线索方面有商标信息7条，专利信息146条，此外企业还拥有行政许可14个。
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来源：市场资讯
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