长江存储申请半导体结构及其制备方法、存储器、存储系统、电子设备专利，提升半导体结构的性能_资源案例

长江存储申请半导体结构及其制备方法、存储器、存储系统、电子设备专利，提升半导体结构的性能

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2025-11-25 12:07:42

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国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法、存储器、存储系统、电子设备”的专利，公开号CN 121001337 A，申请日期为2024年5月。

专利摘要显示，本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、存储器、存储系统、电子设备，涉及半导体技术领域，旨在增大半导体结构中的气隙结构沿第一方向的尺寸，使得相邻的两个导电结构之间的寄生电容的电容值减小，相邻的两个导电结构之间的电容耦合降低，避免由于相邻的两个导电结构之间的寄生电容导致的导电结构的信号延迟，并提升半导体结构的性能。所述半导体结构包括间隔设置的多个导电结构、气隙结构和第一绝缘层。气隙结构位于相邻两个所述导电结构之间。第一绝缘层位于所述多个导电结构，以及相邻两个所述导电结构之间的气隙结构的一侧。所述第一绝缘层包括多孔材料。上述半导体结构可以应用于存储器中，以实现数据的读取和写入操作。

天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目1432次，财产线索方面有商标信息978条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可995个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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