浪潮华光申请常关型GaN HEMT器件及制备方法专利，具有良好的阈值电压稳定性和动态性能
创始人
2025-11-25 15:06:16
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国家知识产权局信息显示，山东浪潮华光光电子股份有限公司申请一项名为“一种常关型GaN HEMT器件及制备方法”的专利，公开号CN 121001377 A，申请日期为2025年7月。
专利摘要显示，本申请提供的一种常关型GaN HEMT器件及制备方法涉及半导体技术领域。该常关型GaN HEMT器件及制备方法通过在栅极金属和AlGaN势垒层之间引入BaTiO3/SiNx复合介质层调控阈值电压，同时在漏极金属侧设置三维电荷耦合结构优化电场分布，并与引入的BaTiO3/SiNx复合介质层形成协同效应。不仅解决了当前HEMT器件在常关型操作、动态导通电阻、击穿电压方面的技术瓶颈，而且与现有技术相比具有良好的阈值电压稳定性和动态性能。
天眼查资料显示，山东浪潮华光光电子股份有限公司，成立于2004年，位于潍坊市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本20870.3543万人民币。通过天眼查大数据分析，山东浪潮华光光电子股份有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目305次，专利信息370条，此外企业还拥有行政许可19个。
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来源：市场资讯
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