芯源新材申请芯片互连材料导电性能测试方法专利，可在复现实装溶剂挥发路径的条件下准确评价互连材料的电阻率_资源案例

芯源新材申请芯片互连材料导电性能测试方法专利，可在复现实装溶剂挥发路径的条件下准确评价互连材料的电阻率

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2025-11-25 21:10:39

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国家知识产权局信息显示，深圳芯源新材料有限公司申请一项名为“一种用于芯片互连材料的导电性能测试方法”的专利，公开号CN 121008088 A，申请日期为2025年10月。专利摘要显示，本发明公开一种用于芯片互连材料的导电性能测试方法，包括在绝缘基板上形成烧结层图案，烧结层图案包括互连层图案以及分别自互连层图案的两个宽度边向外延伸形成的两个测试引线；将覆盖芯片放置于互连层图案上，覆盖芯片的长度边与互连层图案的长度边等长且对齐设置，覆盖芯片的宽度边与互连层图案的宽度边等长且对齐设置；按预定烧结条件对互连层图案和两个测试引线进行烧结；分别测量烧结后的互连层图案与测试引线区域的厚度；测量两个测试引线之间的电阻值；根据所测厚度、电阻值以及由烧结层图案的长度和宽度参数确定的修正因子，计算互连层图案内的电阻率。本发明技术方案能够在复现实装溶剂挥发路径的条件下，准确评价互连材料的电阻率。

天眼查资料显示，深圳芯源新材料有限公司，成立于2022年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本545万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳芯源新材料有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目3次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息22条，此外企业还拥有行政许可8个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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