美光科技申请半导体装置的存取线结构专利，存取线形成于存储器单元阵列部分且与冗余部分分离
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2025-12-05 12:08:15
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国家知识产权局信息显示，美光科技公司申请一项名为“半导体装置的存取线结构”的专利，公开号CN121057204A，申请日期为2025年5月。
专利摘要显示，提供用于半导体装置的存取线结构的系统、方法及设备。存取线结构可通过形成硅锗及硅材料的交替层以界定竖直堆叠及形成穿过所述竖直堆叠的第一竖直开口以界定所述交替层的长形竖直列来形成，其中所述多个第一竖直开口中的一者经形成到与其它第一竖直开口的第一宽度不同的第二宽度。所述方法进一步包含用第一介电材料填充所述多个第一竖直开口、形成穿过所述竖直堆叠的第二竖直开口及选择性蚀刻所述硅锗层以形成水平开口，所述方法进一步包含在所述水平开口中形成存取线，其中所述存取线形成于存储器单元的阵列部分中，但与所述存储器单元的冗余部分分离。
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