在人工智能计算迈向高压直流的今天，AI服务器48V供电系统的安全与稳定面临全新挑战。作为保障系统在线维护与可靠运行的关键，热插拔电路的性能直接决定了电源链路的鲁棒性与可用性。为此，我们隆重推出专为AI服务器48V系统热插拔电路优化的功率MOSFET解决方案——MOS-VBGQA1103，以卓越的稳健性守护数据中心电力命脉。

极致稳健，保障系统在线

AI服务器要求零停机维护，热插拔操作时的安全隔离与平滑上电至关重要。MOS-VBGQA1103凭借其100V的漏源电压（VDS），为48V总线应用提供了充足的安全裕量，有效抵御热插拔带来的电压应力与浪涌冲击。±20V的栅源电压（VGS）确保驱动兼容性与可靠性，为关键的保护电路筑起坚固防线。

高效导通，优化功率路径

热插拔电路的导通损耗直接影响系统能效与温升。MOS-VBGQA1103拥有低至3.45mΩ（@Vgs=10V）的导通电阻（RDS(on)），在承载大电流时能显著降低功率损耗，减少热量积累，确保电能高效、低损地输送至后续负载。这不仅提升了系统整体能效，也降低了散热设计的复杂度。

强大载流，应对瞬态冲击

服务器热插拔瞬间可能产生巨大的浪涌电流。MOS-VBGQA1103具备高达135A的连续漏极电流（ID）承载能力，能够从容应对插入瞬间的严酷电流考验，确保电源路径稳定可靠，为GPU、加速卡等核心负载提供平滑的上电体验。

紧凑设计，集成高功率密度

现代服务器空间寸土寸金。MOS-VBGQA1103采用先进的DFN8(5x6)封装，在极小的占板面积内集成了强大的功率处理能力。其单N沟道配置与优化的热性能，助力工程师在紧凑布局中实现高性能、高可靠性的热插拔解决方案，适应高密度AI服务器的苛刻要求。

先进技术，铸就平衡性能

内核采用创新的SGT（Shielded Gate Trench）技术。该技术通过独特的槽栅与屏蔽结构，实现了导通电阻、栅极电荷与体二极管特性的优异平衡。这不仅确保了低损耗和高效率，更优化了热插拔应用中的开关与体二极管续流性能，提供全面可靠的保护。

MOS-VBGQA1103 关键参数速览

封装： DFN8 (5mm x 6mm)

配置： Single N-Channel

漏源电压（VDS）： 100V

栅源电压（VGS）： ±20V

阈值电压（Vth）： 1.5V

导通电阻（RDS(on)）： 3.45 mΩ @ Vgs=10V

连续漏极电流（ID）： 135A

核心技术： SGT

选择MOS-VBGQA1103，不仅是选择了一颗高性能的功率MOSFET，更是为您的AI服务器48V供电系统选择了：

更可靠的在线维护，保障业务连续。

更高效的功率路径，提升系统能效。

更强大的瞬态承载，应对突发冲击。

更紧凑的电路设计，节省宝贵空间。

以尖端功率器件，为人工智能的高压供电，构筑最安全、最稳健的接入基石。MOS-VBGQA1103，为您的下一代AI服务器热插拔设计注入安心动能！