国家知识产权局信息显示,上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“嵌入式MV器件的工艺集成方法”的专利,公开号CN121078787A,申请日期为2025年8月。
专利摘要显示,本发明公开了一种嵌入式MV器件的工艺集成方法中,MV器件的第一有源区的回刻工艺的步骤包括:形成第一掩膜层并对第一掩膜层进行图形化以打开第二导电类型MV阱的形成区域。以第一掩膜层为掩膜进行第二导电类型的离子注入以形成第二导电类型MV阱。以第一掩膜层为掩膜对半导体衬底进行刻蚀以使第二导电类型MV阱的形成区域中由半导体衬底组成的第一有源区的顶部表面降低,之后去除第一掩膜层。本发明能节省MV器件的形成区域的有源区回刻的光罩并从而节约工艺成本。
天眼查资料显示,上海华力集成电路制造有限公司,成立于2016年,位于上海市,是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本2960000万人民币。通过天眼查大数据分析,上海华力集成电路制造有限公司参与招投标项目2092次,专利信息2628条,此外企业还拥有行政许可396个。
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