上海微世半导体申请耐高压芯片制备方法及耐高压芯片专利，使芯片的耐压能力跃升至3000V及以上
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2025-05-23 13:08:50
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金融界2025年5月23日消息，国家知识产权局信息显示，上海微世半导体有限公司申请一项名为“耐高压芯片的制备方法及耐高压芯片”的专利，公开号CN120033064A，申请日期为2025年02月。
专利摘要显示，本发明提供一种耐高压芯片的制备方法及耐高压芯片，其通过在半绝缘多晶硅膜上再生长厚度至少为6000埃米的氮化硅膜，成功突破了传统制备方法的耐压瓶颈，使芯片的耐压能力跃升至3000V及以上，氮化硅膜能够有效抑制漏电现象，显著提高了芯片的稳定性和可靠性，减少了因漏电导致的功率损耗和性能下降问题，延长了芯片的使用寿命，降低了电子设备的运行成本。
天眼查资料显示，上海微世半导体有限公司，成立于2010年，位于上海市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海微世半导体有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目1次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息62条，此外企业还拥有行政许可2个。
来源：金融界
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