近期存储芯片持续活跃，本周再度高开拉升，珂玛科技开盘涨停。上游半导体设备需求受益表现强势，半导体设备ETF（561980）飙涨超4%，成交额迅速放大到2.67亿元。

成份股方面，珂玛科技涨停，上海新阳涨超17%，艾森股份涨超16%，联动科技、立昂微涨超8%，京仪装备、长川科技涨超7%，权重股北方华创、中芯国际、拓荆科技、海光信息、南大光电等多股走强。

据中证指数官网，半导体设备ETF（561980）跟踪中证半导，标的指数中“设备”含量近60%，截至上周五年内涨幅达54.82%，在中证全指半导体、国证芯片等主流芯片指数中位列第一。

【外媒一致“唱多”国产芯片，资本化进程明显加速】

消息面上，彭博社周一发文称，中国芯片技术发展迅速，有望在2026年或2027年迎来“DeepSeek时刻”，对英伟达及其供应链产生颠覆性影响。

此前一周，大摩分析师与美国银行也发表最新观点，强调在史无前例的AI基建热潮与传统芯片需求复苏的合力下，芯片股的“长期牛市逻辑”依然完好无损。

其中，科技巨头们主导的全球AI基础设施建设进程愈发火热，全面助力3nm及以下先进制程芯片扩产与先进封装产能扩张大举加速，半导体设备板块的长期牛市逻辑仍然坚挺。

开源电子认为，半导体设备自主可控或是当下强确定性和弹性兼备科技主线，主要源于以下三个方面：

首先，两存上市是存储产业加速的标志。其次，先进逻辑扩产的现实在不断加强。最后，从国内晶圆厂龙头100%的稼动率来看，产能利用率始终高企，越来越多的外资机构开始看多中国市场。

目前国产芯片企业正加速全球化、资本化进程。12月5日，摩尔线程正式在科创板挂牌上市，成为2024年以来科创板最大规模IPO。作为2022年以来审核最快的科创板IPO，摩尔线程从受理到过会仅88天。

12月17日，沐曦股份成为继摩尔线程之后第二家实现A股上市的国产GPU厂商。12月22日，壁仞科技在港交所公告，预期H股将在明年1月2日开始交易。国产GPU龙头上市进程明显提速。

【AI拉爆存储需求，全球半导体规模持续提升】

除逻辑芯片外，存储芯片领域也在加快上市步伐。

根据东北证券，此前长鑫科技已经完成为期三个月的IPO辅导工作，即将在A股上市；而据相关产业链消息，长江存储也将在明年启动上市进程。国产存储厂商的相继上市，有望充分借助资本市场的力量，加快产能建设。

据CFM闪存市场近日发布的2026年存储市场展望报告，预计26Q1服务器eSSD和DDR5 RDIMM仍存在较大供应缺口，预计DDR5 RDIMM大幅上涨40%以上，eSSD上涨20%—30%；嵌入式存储方面，2025年四季度嵌入式NAND和DRAM合约价分别出现高达30%和45%以上的涨幅，预计一季度还将出现大幅上涨。

东莞证券指出，一方面，存储价格持续上行，表明AI带来的需求十分旺盛，存储产业链相关企业有望受益价格上涨；另一方面，价格上涨也可能导致消费电子供应链成本上升，影响智能手机、PC等终端出货量。此外，长江存储、长鑫存储等企业积极推进产能扩充，有望拉动国产半导体设备、材料需求。

行业数据方面，日前WSTS已上修2026年全球半导体销售额至9754亿美元。

招商证券指出，本轮半导体周期从23M2开始环比持续复苏，主要系AI需求持续旺盛拉动，25M10全球半导体销售额727亿美元，同比+27%/环比+5%；预计2025年全球半导体销售额7722亿美元，同比+22.5%，同时上修2026年全球销售额至9754亿美元，同比+26.3%。未来随着国内大厂资本开支增长，中国半导体销售额有望持续增长。

【上游设备需求核心受益，半导体设备ETF（561980）设备含量近60%】

招商证券指出，AI需求增长带动全球存储及先进制程产能扩张，展望26-27年国内存储及先进制程扩产有望提速，国内设备厂商订单持续向好，国产化率进入快速提升阶段，卡位良好及份额较高的存储设备公司有望受益。

该机构认为，存储板块价格持续上涨，大厂预计Q4业绩趋势向好，考虑到明年位元产出有限，或仍存在结构性机会；AI端侧芯片各厂商新品迭代和量产节奏仍在推进。当前或可关注受益于存储扩产周期的设备、需求持续向好的算力及代工等，同时关注各科创指数和半导体指数核心成分股。

中证指数官网数据显示，半导体设备ETF（561980）跟踪中证半导，标的指数中“半导体设备”含量近60%，设备+材料+集成电路设计三行业占比超90%，均为芯片产业链中/上游的“卖铲子”领域，国产替代空间广阔。

数据来源：中证指数官网，截至2025.12.19

从重仓股来看，中证半导重点布局中微公司、北方华创、寒武纪、中芯国际、海光信息等产业龙头，前十大集中度近8成。截至12月19日，该指数2025年年内涨幅54.82%，区间最大上涨超80%，在中证全指半导体、中华半导体芯片、国证芯片等主流半导体指数中位列第一。

数据来源：iFinD，2025.1.1-2025.12.19