索泰克公司申请用于容纳功率半导体器件的衬底的多晶碳化硅载体专利，该载体具有电阻率不同的表面层
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2025-12-26 19:36:27
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国家知识产权局信息显示，索泰克公司申请一项名为“用于旨在容纳功率半导体器件的衬底的多晶碳化硅载体及包含这种载体的衬底”的专利，公开号CN121219810A，申请日期为2024年6月。
专利摘要显示，本发明涉及一种用于旨在容纳功率半导体器件的衬底的多晶碳化硅载体。该载体具有第一面（称为“正面”）和第二面（称为“背面”），并且包括直接布置在正面的下面且电阻率大于或等于1Ω.cm的第一表面层，以及直接布置在背面的下面且电阻率严格小于1Ω.cm的第二表面层。
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来源：市场资讯
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