硅格半导体申请控制电压门槛的电压偏移值确定方法等专利，高效确定出控制电压门槛的电压偏移值_资源案例

硅格半导体申请控制电压门槛的电压偏移值确定方法等专利，高效确定出控制电压门槛的电压偏移值

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2025-05-24 16:36:58

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金融界2025年5月24日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市硅格半导体有限公司申请一项名为“一种控制电压门槛的电压偏移值确定方法、装置及设备”的专利，公开号CN120032676A，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本申请提供一种控制电压门槛的电压偏移值确定方法、装置及设备，其方法包括：根据非易失性存储器的芯片类型确定页面中各存储单元分别对应的控制电压门槛；利用初始电压偏移值设置各控制电压门槛，并确定与页面对应的初始参考值；按照轮询方式从各控制电压门槛中确定目标控制电压门槛，利用预设电压偏移值设置目标控制电压门槛，利用初始电压偏移值设置其他控制电压门槛，并确定与页面对应的调整参考值；若调整参考值小于初始参考值，则确定目标控制电压门槛为预设电压偏移值；否则，则将目标控制电压门槛设置为前一次迭代搜寻优化操作中确定的预设电压偏移值；然后返回执行迭代搜寻优化操作。

天眼查资料显示，深圳市硅格半导体有限公司，成立于2007年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本4000万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市硅格半导体有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目4次，财产线索方面有商标信息22条，专利信息169条，此外企业还拥有行政许可13个。

来源：金融界

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