北京集成电路装备创新中心申请半导体器件制备工艺专利，确保半导体器件性能_资源案例

北京集成电路装备创新中心申请半导体器件制备工艺专利，确保半导体器件性能

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2026-01-23 10:13:01

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国家知识产权局信息显示，北京集成电路装备创新中心有限公司申请一项名为“一种半导体器件的制备工艺”的专利，公开号CN121368161A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本发明提供一种半导体器件的制备工艺，涉及半导体技术领域。该半导体器件的制备工艺包括：主形成步：在衬底上形成基体结构，基体结构包括鳍部，鳍部、假栅部和外隔离墙；其中，鳍部包括自下而上交替堆叠的牺牲层和沟道层，且牺牲层的两端形成内墙空腔；沿远离假栅部的方向，外隔离墙的厚度大于预设厚度，预设厚度为成品半导体器件中外隔离墙的厚度；填充步：在内墙空腔内填充内墙层；外隔离墙刻蚀步：刻蚀去除第一加厚部；形貌修正步：以假栅部和外隔离墙为掩膜，对沟道层和内墙层进行图案化处理，内墙层的剩余部分作为内侧墙。该制备工艺中形成的内侧墙能够确保对源层和漏层的电学隔离作用，从而确保半导体器件的性能。

天眼查资料显示，北京集成电路装备创新中心有限公司，成立于2019年，位于北京市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本1113950万人民币。通过天眼查大数据分析，北京集成电路装备创新中心有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目4次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息97条，此外企业还拥有行政许可6个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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