电压跟随器和电流镜是模拟集成电路设计的核心模块,其性能直接影响信号处理系统的精度与能效。传统电压跟随器 (如共漏放大器) 存在输出阻抗高、带宽有限等问题,而翻转电压跟随器 (Flipped Voltage Follower, FVF) 通过引入局部负反馈显著降低了输出阻抗,但仍受限于输出摆幅小、转换速率低等挑战。在电流镜领域,传统结构常面临输入/输出阻抗不匹配、线性度不足等问题,尤其在低压场景下性能受限。
针对上述问题,来自墨西哥波萨里卡高等技术学院的Jaime Ramírez-Angulo教授等联合团队在 Journal of Low Power Electronics and Applications 上发表题为“Class AB Voltage Follower and Low-Voltage Current Mirror with Very High Figures of Merit Based on the Flipped Voltage Follower”的研究论文,提出了两种基于FVF的创新电路设计,旨在突破现有性能瓶颈,实现高效率、低功耗与高精度特性。
高性能AB类级联翻转电压跟随器 (HP_CSCFVF)
基于180 nm CMOS工艺的仿真结果显示,该电路在1.5 V电源下总静态功耗仅31.5 μW,且蒙特卡洛分析表明其对工艺偏差和温度波动具有强鲁棒性。
低压高性能电流镜像电路 (HP_CS_CM)
该电流镜通过辅助放大器与电平移位器的协同设计,解决了传统镜像电路输入阻抗高、输出阻抗低、线性度不足等问题:
瞬态响应与频率特性分析显示,该电路在10 MHz脉冲输入下无过冲,且蒙特卡洛分析验证了其参数稳定性。
本文提出的两种电路基于翻转电压跟随器架构,分别针对电压缓冲与电流镜像场景实现了性能突破。AB类电压跟随器HP_CSCFVF通过动态电流增强和级联优化,在能效、带宽与输出范围上达到领先水平;低压电流镜像电路HP_CS_CM则通过辅助放大器与电平移位技术,显著降低了输入阻抗并提升了输出阻抗与线性度。两者均通过180 nm CMOS工艺仿真验证,展现出对工艺偏差的强鲁棒性,为低功耗、高精度模拟集成电路设计提供了创新解决方案。
原文出自 JLPEA 期刊
Ramírez-Angulo, J.; Paul, A.; Gangineni, M.; Hinojo-Montero, J.M.; Huerta-Chua, J. Class AB Voltage Follower and Low-Voltage Current Mirror with Very High Figures of Merit Based on the Flipped Voltage Follower. J. Low Power Electron. Appl. 2023, 13, 28. https://doi.org/10.3390/jlpea13020028
期刊旨在发表低功耗电子方向的创新研究和重要成果。期刊范围涵盖的主题包括但不限于新兴电子器件和工艺技术、模拟、数字和混合信号 VLSI 电路、架构和系统设计、SoC 和嵌入式系统、能量采集和无电池系统、综合和优化工具,以及用于低功耗设计的 CAD 工具和方法。目前被 Scopus、ESCI 等数据库收录。