国家知识产权局信息显示,福建慧芯激光科技有限公司申请一项名为“一种GaAs基低电容高带宽PIN光电二极管及其制备方法”的专利,公开号CN121442787A,申请日期为2025年12月。
专利摘要显示,本发明公开了一种GaAs基低电容高带宽PIN光电二极管及其制备方法,涉及半导体技术领域,所述PIN光电二极管包括GaAs衬底、变形生长层、InP基PIN功能层;所述变形生长层用于实现GaAs衬底到InP基PIN功能层的晶格常数过渡;所述InP基PIN功能层包括n型接触层、第一本征层、本征吸收层和窗口层,所述第一本征层中设有离子注入改性区,用于形成高阻区域以缩小器件的有效电学结面积。本发明通过变形生长层实现了GaAs衬底与InP基PIN功能层的异质集成,显著地降低了器件成本,并通过离子注入改性区实现了光敏面积与电学结面积的物理解耦,使器件在保持大光学孔径的同时,显著减小了本征结电容,由此系统性解决了高速PIN-PD中带宽、响应度、成本三者之间的固有矛盾。
天眼查资料显示,福建慧芯激光科技有限公司,成立于2019年,位于泉州市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1477.2497万人民币。通过天眼查大数据分析,福建慧芯激光科技有限公司参与招投标项目8次,财产线索方面有商标信息10条,专利信息65条,此外企业还拥有行政许可9个。
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