新存科技申请相变存储器及其形成方法专利，实现存储单元阵列块与接触结构的高效连接
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2026-01-31 16:41:55
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国家知识产权局信息显示，新存科技（武汉）有限责任公司申请一项名为“相变存储器及其形成方法”的专利，公开号CN121442707A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本公开提供了一种相变存储器及其形成方法，所述形成方法包括：在阵列区形成第一接触结构，并在外围连接区形成第二接触结构；所述阵列区和所述外围连接区沿第一方向排布；所述第一接触结构和所述第二接触结构沿第二方向延伸；所述第一方向与所述第二方向垂直；在所述阵列区形成至少一个沿所述第二方向堆叠的存储单元阵列块；一个所述存储单元阵列块包括第一导电线、第二导电线和在所述第二方向上位于所述第一导电线与所述第二导电线之间的相变存储单元；一个所述存储单元阵列块中的第一导电线和第二导电线中的一者与所述第一接触结构连接；在所述第二接触结构上形成与所述第二接触结构连接的第三接触结构。
天眼查资料显示，新存科技（武汉）有限责任公司，成立于2022年，位于武汉市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1785.754万人民币。通过天眼查大数据分析，新存科技（武汉）有限责任公司共对外投资了9家企业，参与招投标项目5次，专利信息197条。
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来源：市场资讯
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