清橙半导体申请用于碳化硅单晶生长的石墨导向环及长晶工艺专利，显著降低因径向温度梯度引起的晶体生长应力_资源案例

清橙半导体申请用于碳化硅单晶生长的石墨导向环及长晶工艺专利，显著降低因径向温度梯度引起的晶体生长应力

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2026-02-18 17:11:56

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国家知识产权局信息显示，内蒙古清橙半导体科技有限公司申请一项名为“一种用于碳化硅单晶生长的石墨导向环及其长晶工艺”的专利，公开号CN121538728A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本发明属于碳化硅晶体制备技术领域，具体涉及一种用于碳化硅单晶生长的石墨导向环及其长晶工艺。该石墨导向环包含接近籽晶边缘的导向环内结构层和导向环外结构层以及设置于两者之间的中介层，导向环内结构层为等径或扩径曲面，中介层截面为梯形，梯形顶部长度小于底边长度，且材质为中空、石墨软毡或多孔石墨中的一种或多种。通过所述中介层的特定形状与材质组合，有效调控晶体生长腔内的径向温度场分布，使生长界面趋于平坦，显著降低了因径向温度梯度引起的晶体生长应力。本发明还提供了应用该石墨导向环的物理气相传输的长晶工艺，能有效抑制晶体开裂、降低位错密度、提升晶体面型规整度，从而大幅提高碳化硅单晶的质量与良率。

天眼查资料显示，内蒙古清橙半导体科技有限公司，成立于2024年，位于呼和浩特市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，内蒙古清橙半导体科技有限公司专利信息2条。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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