细美事申请半导体元件制造方法及装置专利，可以通过简单的工艺在栅极绝缘层形成偶极子界面
创始人
2026-03-03 09:13:35
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国家知识产权局信息显示，细美事有限公司申请一项名为“半导体元件制造方法以及半导体元件制造装置”的专利，公开号CN121604486A，申请日期为2025年6月。
专利摘要显示，本发明公开了一种半导体元件制造方法以及半导体元件制造装置。根据本发明的实施例的半导体元件制造方法的特征在于，包括：提供半导体结构物的步骤，所述半导体结构物包括在表面形成有界面层的一个以上沟道层；界面层表面激活步骤，对所述半导体结构物进行氢等离子体处理而激活所述界面层表面；以及偶极子掺杂步骤，在激活的所述界面层表面结合偶极子形成原子。根据本发明，通过在对界面层表面进行氢等离子体处理而激活后掺杂偶极子形成原子，从而具有可以通过简单的工艺在栅极绝缘层形成偶极子界面的效果。
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来源：市场资讯
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