有研半导体申请改善区熔单晶硅电阻率不均匀性方法专利，显著降低区熔单晶硅的电阻率不均匀性
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2026-03-07 19:49:41
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国家知识产权局信息显示，有研半导体硅材料股份公司申请一项名为“一种改善区熔单晶硅电阻率不均匀性的方法”的专利，公开号CN121610893A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明公开了一种改善区熔单晶硅电阻率不均匀性的方法，该方法包括：在区熔高频加热线圈下方设置多匝线圈，多匝线圈上沿距离高频加热线圈的距离5‑15mm范围内可调，在单晶生长过程中，高频加热线通入高频交变电流，多匝线圈中通入冷却水，控制高频感应加热频率为2‑2.5MHz，多匝线圈中水流量为1‑3L/min；通过多匝线圈与高频感应线圈的距离控制以及多匝线圈中水流量控制调控感应磁场。采用本发明的方法，能够显著降低区熔单晶硅的电阻率不均匀性，为区熔单晶硅在高端领域的应用提供了可靠保障。
天眼查资料显示，有研半导体硅材料股份公司，成立于2001年，位于北京市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本125030.1858万人民币。通过天眼查大数据分析，有研半导体硅材料股份公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目63次，专利信息345条，此外企业还拥有行政许可73个。
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来源：市场资讯
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