SK海力士申请存储器装置块选择电路专利，优化存储单元分区与选择效率
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2026-03-11 15:07:08
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国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“包括块选择电路的存储器装置”的专利，公开号CN121641117A，申请日期为2025年3月。
专利摘要显示，公开了一种存储器装置。存储器装置包括：第一半导体层，包括减薄区、在第一方向上布置在减薄区的两侧的第一单元区和第二单元区；以及第二半导体层，包括与减薄区竖直重叠的通道晶体管区域、以及通过多条块选择信号线连接到通道晶体管区域的第一块选择电路区域和第二块选择电路区域，其中通道晶体管区域包括第一部分以及在与第一方向垂直的第二方向上设置在第一部分的两侧的第二部分和第三部分，并且其中第一块选择电路区域和第二块选择电路区域在第一方向上分别设置在通道晶体管区域的第一部分的两侧。
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