国家知识产权局信息显示,智诚尚芯(安徽)半导体有限公司申请一项名为“基于结构改进的低动态电阻小阈值电压耗尽型GaN器件”的专利,公开号CN121645934A,申请日期为2025年12月。
专利摘要显示,本发明公开了基于结构改进的低动态电阻小阈值电压耗尽型GaN器件,具体涉及电力电子器件技术领域,该器件包括衬底以及衬底自下向上依次设置的GaN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层以及p‑GaN层,设置在AlGaN势垒层上的p‑GaN层厚度为1nm~40nm,p‑GaN层厚度、AlGaN层厚度以及Al组分与器件的阈值电压和动态导通电阻之间存在映射关系。
天眼查资料显示,智诚尚芯(安徽)半导体有限公司,成立于2023年,位于马鞍山市,是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本100万人民币。通过天眼查大数据分析,智诚尚芯(安徽)半导体有限公司共对外投资了1家企业,专利信息5条。
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