资源案例
瑞可达申请高浮动插接的大电流高压插件连接器专利，高容差高浮动
金融界2025年6月13日消息，国家知识产权局信息显示，苏州瑞可达连接系统股份有限公司申请一项名为“一种高浮动插接的大电流高压插件连接器”的专利，公开号CN12...
苏州晶歌半导体申请红外探测器及其制作方法专利 有助于抑制器件暗电流
金融界2025年6月13日消息，国家知识产权局信息显示，苏州晶歌半导体有限公司申请一项名为“红外探测器及其制作方法”的专利，公开号CN120152401A，申请...
中国电科院等申请基于磁聚集 NV 色心的电流测量相关专利，能确定待测导线预测电流值
金融界 2025 年 6 月 13 日消息，国家知识产权局信息显示，中国电力科学研究院有限公司、国家高电压计量站、中国电力科学研究院有限公司武汉分院、国家电网有...
士兰微申请功率模块、功率模组及其封装方法专利，实现电流均匀分布
金融界2025年6月13日消息，国家知识产权局信息显示，杭州士兰微电子股份有限公司申请一项名为“功率模块、功率模组及其封装方法”的专利，公开号CN1201492...
南通旺峰电子科技取得便于端口对接安装的发光二极管专利，方便发光二极管端口对接的准确快捷
金融界2025年6月13日消息，国家知识产权局信息显示，南通旺峰电子科技有限公司取得一项名为“一种便于端口对接安装的发光二极管”的专利，授权公告号CN22297...
赛骄阳能源取得用于储能电池模组防接反的电压检测装置专利，安全性高
金融界2025年6月13日消息，国家知识产权局信息显示，深圳赛骄阳能源科技股份有限公司取得一项名为“一种用于储能电池模组防接反的电压检测装置”的专利，授权公告号...
山东德源电力取得用于四可融合一体终端电压分析调节方法专利
金融界2025年6月13日消息，国家知识产权局信息显示，山东德源电力科技股份有限公司取得一项名为“一种用于四可融合一体终端的电压分析调节方法”的专利，授权公告号...
富乐华半导体取得解决DCB铜岛间绝缘性不良方法专利
金融界2025年6月13日消息，国家知识产权局信息显示，江苏富乐华半导体科技股份有限公司取得一项名为“一种解决DCB铜岛间绝缘性不良的方法”的专利，授权公告号C...
奥拉半导体取得与存储单元相关联的执行方法等专利
金融界2025年6月13日消息，国家知识产权局信息显示，宁波奥拉半导体股份有限公司取得一项名为“与存储单元相关联的执行方法、设备和系统”的专利，授权公告号CN1...
合泰半导体取得运算放大器专利
金融界2025年6月13日消息，国家知识产权局信息显示，合泰半导体（中国）有限公司取得一项名为“运算放大器”的专利，授权公告号CN111988000B，申请日期...
哈梅内伊证实多名军事指挥官和核科学家死亡 “以方将受严厉惩罚”
△哈梅内伊（资料图） 当地时间13日，伊朗最高领袖哈梅内伊称，以色列将受到严厉惩罚。哈梅内伊同时证实，多名伊朗军事指挥官和核科学家被杀，他们的同事将立刻接替职位...
西部超导申请高温超导带材缺陷检测装置及检测方法专利，可直观反映带材内部损伤位置
金融界2025年6月13日消息，国家知识产权局信息显示，西部超导材料科技股份有限公司申请一项名为“高温超导带材缺陷检测装置及检测方法”的专利，公开号CN1201...
把手机芯片搬上车，小米是认真的
五月下旬，伴随着小米第一款3纳米手机SoC玄戒o1的发布，雷总揭开了小米YU 7的面纱。 这款万众期待的Model Y杀手身上有很多值得点赞和讨论的地方，其中之...
HBM带宽限令对算力芯片有何影响？——算力芯片看点系列 | 投研报告
东吴证券近日发布电子行业点评报告：长期来看，国产化替代和技术创新成为关键突破方向。硬件方面，国内AI芯片厂商采取如Chiplet封装技术、GDDR6/LPDDR...
上海邦芯半导体取得晶圆减薄片应力监测相关专利
金融界2025年6月13日消息，国家知识产权局信息显示，上海邦芯半导体科技有限公司取得一项名为“晶圆减薄片的应力监测方法及监测装置、半导体工艺设备”的专利，授权...
承芯半导体取得体声波谐振装置相关专利
金融界2025年6月13日消息，国家知识产权局信息显示，常州承芯半导体有限公司取得一项名为“一种体声波谐振装置、滤波装置及射频前端装置”的专利，授权公告号CN1...
南亚科技申请具有背面拾取区的半导体元件结构及其制备方法专利，提供一种半导体元件结构及其制备方法
金融界2025年6月13日消息，国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“具有背面拾取区的半导体元件结构及其制备方法”的专利，公开号CN1201...
瑞昱半导体取得数据传输系统前端芯片专利
金融界2025年6月13日消息，国家知识产权局信息显示，瑞昱半导体股份有限公司取得一项名为“数据传输系统的前端芯片”的专利，授权公告号CN114330186B，...
安徽格恩半导体申请氮化镓基第三代半导体蓝光激光器专利 降低激光元件的激发阈值
金融界2025年6月13日消息，国家知识产权局信息显示，安徽格恩半导体有限公司申请一项名为“一种氮化镓基第三代半导体蓝光激光器”的专利，公开号CN1201499...
苏州晶湛半导体申请半导体电学特性测试相关专利，推断出掺杂效率的分布
金融界2025年6月13日消息，国家知识产权局信息显示，苏州晶湛半导体有限公司申请一项名为“半导体电学特性的测试方法和半导体电学特性的测试装置”的专利，公开号C...