前言

每年的6月14日，被业界正式定为 “世界碳化硅日”。这一日期的选择结合了碳化硅（SiC）的两种组成元素——碳（C，原子序号 6）和硅（Si，原子序号 14）在元素周期表中的位置。将6月14日设立为纪念日，体现了行业对这种战略半导体材料的高度认可，也彰显了业界对碳化硅这一材料的崇高敬意，寓意着碳化硅在现代科技发展中不可或缺的重要地位。

在这个特殊的碳化硅日，充电头网邀请众多碳化硅企业，一同向这里程碑意义的半导体材料表达敬意。以下为这些企业对碳化硅的展望。

本文排序不分先后，按企业英文首字母顺序排列。

大咖说

ALKAIDSEMI瑶芯微

市场总监 史献冰

在碳化硅领域，瑶芯凭借核心技术，一路乘风破浪。我们坚持自主研发，技术快速迭代，目前碳化硅 MOSFET 已迭代至第五代，核心性能指标RSP比肩全球一线品牌，技术优势显著。

我们不仅有过硬的技术，还率先布局国产供应链，从衬底、外延、晶圆制造及封测，都选用国内顶尖供应链资源，尤其是与我们的晶圆代工厂芯联集成深度绑定，一体化合作，不仅获得了充分的研发资源支持、降低了成本，还保障了供货稳定性，打破海外垄断格局，让客户用上高品质、高性价比且供应无忧的产品。

成本控制上，技术迭代与供应链优化双管齐下，在产业链各环节深挖降本潜力。同时，我们严守质量关，产品经超2倍车规级标准认证及严苛考核，出货前老化测试，确保颗颗高品质。依托成熟的供应链体系和弹性生产计划，确保稳定供应，全方位满足客户需求，助力行业蓬勃发展 。

ARK方舟微

研发经理 赵兴杰

值此世界碳化硅日之际，我们深刻感受到碳化硅（SiC）技术正在充电领域引领一场深刻的技术革新。作为第三代半导体的核心材料，SiC凭借其宽禁带特性带来的高击穿场强、低导通损耗、优异高频特性以及出色的热稳定性，正推动快充技术实现质的飞跃。

在消费电子领域，SiC快充方案可将效率提升10%-15%，同时体积缩小30%以上，让百瓦级快充设备化身为指尖艺术品。在新能源汽车领域，碳化硅逆变器与车载充电机（OBC）的协同应用，则能显著提升充电功率、降低整车能耗，从而有效提升车辆续航表现。

成都方舟微电子（ARK）作为国内唯一专注于耗尽型MOSFET设计的公司，其自主研发的耗尽型MOSFET独具特色。该方案能有效降低系统静态功耗、简化电路设计并节省PCB空间，成为SiC快充方案的理想搭档。两者协同，共同赋能充电技术向更高效、更绿色的未来迈进。

Global Powertech 泰科天润

泰科天润应用测试中心总监 高远

在快充技术迭代的浪潮中，碳化硅器件以其高频、高效、耐高温的特性，助力充电设备突破功率密度与能量转换效率的极限。

值此世界碳化硅日，泰科天润作为深耕碳化硅（SiC）晶圆、芯片、功率器件制造及应用解决方案提供商，深感荣幸与责任。我们始终聚焦器件设计优化与芯片工艺创新，攻克器件封装等关键技术难题，推动国产碳化硅芯片在可靠性、性价比上实现突破。助力安克、倍思、绿联、闪极等合作伙伴提高开关频率、提高功率密度、提升充电效率、大幅减少系统体积。每一次技术迭代，都是对"更高效、更节能、更可靠"目标的践行。

我们深知，碳化硅产业化是跨越材料科学、器件物理与制造工艺的系统工程。未来，我们将持续加大研发投入，推动6英寸/8英寸碳化硅晶圆量产进程，降低应用成本。同时布局充电桩、电动汽车、光伏与储能、5G通信、工业电源等应用场景，让碳化硅技术惠及更多领域。

Navitas 纳微

纳微半导体全球高级副总裁兼亚太区总经理查 莹杰

6月14日是一年一度的世界碳化硅日，在这个行业欢庆的日子里，纳微半导体深感荣幸与自豪。自投身碳化硅领域以来，我们一路见证并参与着它的蓬勃发展。

纳微GeneSiC有着超过20年的碳化硅创新积累，凭借着领先的“沟槽辅助平面栅”碳化硅技术，实现了多维度行业突破。在AI数据中心领域，纳微成功打造了全球首款12kW OCP 红宝石级AI数据中心电源参考设计，率先为AI 算力的爆发式增长构建了坚实的能源基座；在如火如荼的新能源汽车赛道，车规级第三代快速碳化硅广泛导入了国内头部车企供应链，为多个爆款车型开发了行业领先的OBC方案。

今天，我们向每一位为碳化硅发展拼搏的同行致敬。未来，纳微将继续秉持创新精神，与产业链各方紧密合作，拓展碳化硅应用边界，助力全球科技与能源产业迈向新高度。

INGACOM英嘉通

功率应用总监 刘亮

第三代半导体材料碳化硅功率芯片由于材料特性的支持具有远超于硅基 IGBT 的性能和系统成本/效率优势，是全球一致公认未来几十年高压大功率应用场景的首选半导体产业方向。碳化硅功率芯片是新能源汽车 三电（电池/电机/电控）的电控核心，是纯电/插混/氢能源车的动力核心。 美军已在航母/核潜艇/舰船/F22/F35 战机规模应用碳化硅芯 片，欧美国家也在铁路机车、电网、民用船舶等领域批量应用。英嘉通半导体主要聚焦第三代半导体的研发和销售，主要产品包括GaN功率器件、SiC功率器件和GaN射频器件等。产品应用于消费、工业和汽车等领域。英嘉通的GaN器件就是倚天剑，突破消费和通信领域，英嘉通SiC器件就是屠龙刀，气贯长虹。刀剑合璧，马到成功。

SHIKUES 時科

总经理 颜晓东

6月14日是世界碳化硅日，我们为这项改变能源转换效率的技术致敬。碳化硅，作为第三代半导体的核心材料，正重塑充电、能源、汽车等高功率应用领域的未来。

時科持续聚焦碳化硅器件的研发与应用，旗下SKSCxxNxxx系列SIC MOS（750V-1700V）与Q-SSCxxxx系列SIC肖特基二极管（650V-1200V）已在多类快充、电驱、光伏逆变等高频高压场景中广泛部署。我们的产品具备可忽略的反向恢复时间、极低的开关损耗，支持更高频率、更小体积的系统设计；同时，温度影响小、散热要求低，有效降低系统能耗与成本。

我们坚信，碳化硅不仅代表着性能的飞跃，更是绿色能源未来的关键。時科将持续以高性能、安全可靠的碳化硅方案，助力产业跨越功率瓶颈，迈向低碳高效的新纪元

Sirius天狼芯

董事长&创始人 曾健忠

碳化硅（SiC）作为第三代半导体的核心，正引领能源效率与电力电子技术的革命性突破。

天狼芯的碳化硅MOS及二极管器件凭借卓越的耐高温、耐高压性能，以及极低的能量损耗，在市场上赢得了广泛认可。其高效稳定的特性，已在诸多测试和量产项目中得以验证，切实为客户和国产替代创造了价值。

展望工业领域，碳化硅前景无限。在新能源汽车的快充系统中，它能大幅提升充电效率；于智能电网，可实现更高效的电力传输与分配。我们坚信，随着技术不断进步与成本降低，碳化硅将在工业各角落全面开花，引领工业发展迈向新高度，天狼芯的SiC器件正以“中国芯”力量——用碳化硅之光，点亮科技可持续之路！

TOPE芯塔

高级市场经理 周骏峰

目前SiC行业不断涌现新机遇、新市场。展望未来，新能源汽车高压平台、光储一体化系统、超高速充电网络将成为核心增长引擎，工业机器人、数据中心电源等场景逐步放量。智能化制造与系统级创新将推动能效再提升2-3%，支撑碳化硅在智慧能源、高端装备等战略领域的全域渗透。

2024年，芯塔电子推出多款极具特色的TOPSiCTMMOSFET系列产品，连获10项国家发明专利授权。第三代TOPSiCTMMOSFET实现量产并获重大技术突破：流片良率平均98%以上，Chip size 较上一代锐减32%，Rsp跃居国内前列。面对下游客户多样化应用场景，我们开发了丰富的封装形式，以更小尺寸、更低干扰、卓越热管理与高可靠性，满足多元市场需求。

未来五年，碳化硅将从“替代性技术”转向“定义性技术”，重塑电力电子系统设计范式，开启“高效、紧凑、智能”的能源应用新时代。芯塔电子始终站在产业与技术革新最前沿，全力助推中国电力电子及绿色能源产业高质量发展，引领行业迈向新高度。

X-IPM 芯干线

应用技术总监、合伙人 刘欢

以"芯"之力，驱动绿色能源未来——南京芯干线献礼世界碳化硅日

6月14日世界碳化硅日，是全球科技界对第三代半导体材料创新价值的共同致敬。作为深耕碳化硅（SiC）领域的创新企业，南京芯干线深感使命在肩——我们正以"芯"之力，加速能源革命的进程。

碳化硅以其高频、高效、耐高温高压的物理特性，成为充电技术跃迁的核心引擎。南京芯干线聚焦SiC功率器件研发，突破技术壁垒，推出多款高性能SIC MOSFET及模块产品，助力新能源汽车、数据中心电源等场景实现能效提升30%以上。在新能源储能领域，芯干线为国内某头部商用储能企业定制的1200V全碳化硅模块，（XS004HB120N6、XS003HB120N6）,于Q1正式投产。

面对碳中和的全球命题，我们始终坚信：每一瓦特电能的节约，都是对绿色未来的承诺。芯干线通过持续优化器件结构设计，将SiC材料的性能潜力转化为实际应用价值，推动设备向小型化、智能化迈进。未来，我们将继续携手产业链伙伴，以更可靠的国产化方案打破技术垄断，让碳化硅技术成为驱动可持续发展的澎湃"芯"动能。

世界碳化硅日不仅是技术创新的里程碑，更是产业共进的集结号。南京芯干线愿与全球同仁并肩，以匠心致“芯”生，共绘绿色能源新图景。

充电头网总结

在这个充满无限可能的时代，碳化硅材料其潜力之巨，远超我们的想象，正等待着我们去充分挖掘与探索。我们相信，未来碳化硅行业将共同攻克一系列技术难题，加速碳化硅技术的成熟与普及，让其在更多的应用场景中落地生根，为整个半导体产业发展注入源源不断的强大动力。

在这个极具纪念意义的碳化硅日，我们满怀敬意地向所有为碳化硅事业默默付出、不懈奋斗的企业致以崇高的敬意。同时，我们也期待与碳化硅企业携手合作，共同推动碳化硅产业的发展，加速碳化硅技术的普及和应用。