中芯国际申请半导体结构的形成方法专利，半导体结构的性能得到提升
金融界2025年7月4日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请一项名为“半导体结构的形成方法”的专利，公开号CN120261390A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；对衬底第一面进行第一离子注入形成初始第一埋层，初始第一埋层内具有第一埋层离子；对衬底第一面进行第二离子注入形成初始第二埋层结构，初始第二埋层结构内具有第二埋层离子，第二埋层离子小于第一埋层离子的相对原子质量，初始第一埋层的底部距衬底第一面的间距大于初始第二埋层结构的底部距衬底第一面的间距；在衬底第一面表面形成扩散层，扩散离子推动第二埋层离子向初始第一埋层内扩散形成第二埋层结构；对衬底进行退火处理，使第二埋层离子推动第一埋层离子向衬底内扩散形成第一埋层，第一埋层的底部距衬底第一面的间距大于初始第一埋层的底部距衬底第一面的间距。半导体结构的性能得到提升。
天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，成立于2002年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本100000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造(北京)有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目52次，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可226个。
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造(上海)有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目127次，财产线索方面有商标信息150条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可442个。
来源：金融界