青岛海存微电子申请半导体存储结构及阵列专利，提高存储密度
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2025-05-17 18:34:01
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金融界2025年5月17日消息，国家知识产权局信息显示，青岛海存微电子有限公司申请一项名为“一种半导体存储结构及阵列”的专利，公开号CN119997515A，申请日期为2025年4月。
专利摘要显示，本申请涉及半导体技术领域，公开一种半导体存储结构及阵列，半导体存储结构至少包括：多个半导体存储单元、顶电极和与每个所述半导体存储单元对应的选通器件；每个所述半导体存储单元至少包括自旋轨道矩层和设置于所述自旋轨道矩层上方的磁隧道结；所述顶电极位于多个所述磁隧道结上方，且多个所述磁隧道结共用同一所述顶电极，在所述顶电极与每个所述半导体存储单元之间设置有对应的互连通孔；每个所述选通器件分别设置于对应的所述互连通孔内，且所述选通器件两端分别电连接对应的所述磁隧道结和所述顶电极。本申请可以减少晶体管和布线数量，节省晶体管和布线占用的版图面积，从而提高存储密度。
天眼查资料显示，青岛海存微电子有限公司，成立于2023年，位于青岛市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本39000万人民币。通过天眼查大数据分析，青岛海存微电子有限公司参与招投标项目17次，专利信息95条，此外企业还拥有行政许可3个。
来源：金融界
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