苏州晶湛半导体申请一种半导体结构及其制造方法专利，提高耐压_电子百科

苏州晶湛半导体申请一种半导体结构及其制造方法专利，提高耐压

创始人

2025-08-04 18:12:34

0次

金融界2025年8月4日消息，国家知识产权局信息显示，苏州晶湛半导体有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其制造方法”的专利，公开号CN120417426A，申请日期为2024年01月。

专利摘要显示，本公开提供了一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括依次层叠设置的衬底、沟道层、势垒层以及钝化层；钝化层包括第一钝化层和第二钝化层，第一钝化层为多个条状结构，条状结构延伸方向为第一方向，条状结构之间为第一凹槽，第二钝化层至少覆盖第一凹槽，第二钝化层对二维电子气的消耗能力大于第一钝化层对二维电子气的消耗能力。本公开第二钝化层中具有高浓度的氢离子，利用第二钝化层中高浓度的氢离子可调制第二钝化层下方沟道层中的二维电子气浓度，从而在第一钝化层和第二钝化层下方的沟道层形成不同的阈值电压，可以提高耐压，同时可以减缓在较大漏极电流时跨导曲线的下降，提高器件跨导平坦度，进而改善器件的线性度。

天眼查资料显示，苏州晶湛半导体有限公司，成立于2012年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本8212.5556万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州晶湛半导体有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目38次，财产线索方面有商标信息73条，专利信息315条，此外企业还拥有行政许可24个。

来源：金融界

企业制造方法显示半导体晶湛方向为结构专利苏州钝化层二维电子气沟道层

上一篇：腾讯等入股无晶圆芯片设计商赛丽科技

下一篇：海存微电子等申请一种半导体存储结构及其制造方法专利，增加半导体存储结构的抗磁能力以及数据稳定性

苏州晶湛半导体申请一种半导体结构及其制造方法专利，提高耐压

相关内容

热门资讯