海存微电子等申请一种半导体存储结构及其制造方法专利，增加半导体存储结构的抗磁能力以及数据稳定性_电子百科

海存微电子等申请一种半导体存储结构及其制造方法专利，增加半导体存储结构的抗磁能力以及数据稳定性

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2025-08-04 18:12:46

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金融界2025年8月4日消息，国家知识产权局信息显示，青岛海存微电子有限公司;致真存储（北京）科技有限公司申请一项名为“一种半导体存储结构及其制造方法”的专利，公开号CN120417739A，申请日期为2025年04月。

专利摘要显示，本申请提供一种半导体存储结构及其制造方法，涉及半导体技术领域，用于解决现有半导体存储结构中磁隧道结矫顽场Hc低的问题。该半导体存储结构，通过在第一自旋轨道矩层沿写入电流方向的两端设置第一连接柱和第二连接柱，利用第一连接柱和第二连接柱具有的第一应力在平行于写入电流方向和垂直于写入电流方向的释放程度不同，诱导磁隧道结产生磁各向异性，使得磁隧道结的矫顽场Hc增强，进而增加半导体存储结构的抗磁能力以及数据稳定性；并且，第一连接柱和第二连接柱分别设置于第一自旋轨道矩层沿写入电流方向的两端，不需要占用额外的版图面积，有利于半导体存储结构的微缩化和集成化。

天眼查资料显示，青岛海存微电子有限公司，成立于2023年，位于青岛市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本39000万人民币。通过天眼查大数据分析，青岛海存微电子有限公司参与招投标项目23次，专利信息92条，此外企业还拥有行政许可4个。

致真存储（北京）科技有限公司，成立于2019年，位于北京市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本551.108572万人民币。通过天眼查大数据分析，致真存储（北京）科技有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目3次，财产线索方面有商标信息12条，专利信息67条，此外企业还拥有行政许可3个。

来源：金融界

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