华虹半导体申请半导体器件制备方法专利，提高了器件良率_电子百科

华虹半导体申请半导体器件制备方法专利，提高了器件良率

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2025-08-04 18:12:49

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金融界2025年8月4日消息，国家知识产权局信息显示，华虹半导体制造（无锡）有限公司、华虹半导体（无锡）有限公司申请一项名为“半导体器件的制备方法”的专利，公开号CN120417390A，申请日期为2025年04月。

专利摘要显示，本申请提供一种半导体器件的制备方法，通过调整电容区的ONO电容结构的成型工艺流程，在电容区主刻蚀工艺中通过图案化的第一光刻胶层保护电容区中的无需过刻蚀的区域，使电容区中的无需过刻蚀的区域在主刻蚀工艺中不被刻蚀，然后将电容区无需过刻蚀的区域的刻蚀工艺调整到外围逻辑区的栅极刻蚀工艺中一起刻蚀，从而使得电容区不需要过刻蚀的区域没有过量的过刻，从而避免电容区的ONO电容结构外侧表面产生横向钻蚀缺陷的情况，也消除了横向钻蚀缺陷对电容区的后续膜层生长的影响，从而改善电容区的ONO电容结构的准确性，提高了器件良率。

天眼查资料显示，华虹半导体制造（无锡）有限公司，成立于2022年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本402000万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体制造（无锡）有限公司参与招投标项目373次，专利信息46条，此外企业还拥有行政许可226个。

华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2936次，专利信息1727条，此外企业还拥有行政许可117个。

来源：金融界

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