芯联微申请静态随机存储器及其制备方法专利，降低了器件的漏电风险
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2025-05-19 17:36:15
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金融界2025年5月19日消息，国家知识产权局信息显示，重庆芯联微电子有限公司申请一项名为“静态随机存储器及其制备方法”的专利，公开号CN119997498A，申请日期为2025年1月。
专利摘要显示，本发明提供一种静态随机存储器及其制备方法，该静态随机存储器包括：半导体结构、第一和二栅结构、掺杂区、源/漏区、接触区及各电极，其中，半导体结构包括上表层设有阱区的元胞区和边缘区，边缘区包括缓冲区及引出区；第一栅结构位于缓冲区中阱区的上表面；第二栅结构位于元胞区中阱区的上表面；掺杂区位于第一栅结构远离元胞区一侧的阱区上表层；源/漏区分别位于第二栅结构相对两侧的阱区上表层；接触区至少位于引出区上表层；偏置电极覆盖缓冲区及第一栅结构上表面；各电极分别与对应区域电连接。本发明于器件中设置覆盖缓冲区远离元胞区一侧及第一栅结构上表面的偏置电极，降低了器件的漏电风险，提升了器件的接触区的套刻偏离耦余度。
天眼查资料显示，重庆芯联微电子有限公司，成立于2023年，位于重庆市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本870000万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆芯联微电子有限公司参与招投标项目696次，专利信息105条，此外企业还拥有行政许可12个。
来源：金融界
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