国家知识产权局信息显示,爱思开海力士有限公司申请一项名为“存储器装置及制造存储器装置的方法”的专利,公开号CN121013349A,申请日期为2025年3月。
专利摘要显示,本文提供了存储器装置及制造存储器装置的方法。存储器装置包括:栅极线,其层叠为彼此间隔开;第一阻挡层,其由栅极线包围并且层叠为彼此间隔开;电荷捕获层,其由第一阻挡层包围并且层叠为彼此间隔开;突出图案,其位于第一阻挡层之间和电荷捕获层之间;隧道隔离层,其由电荷捕获层和突出图案包围;以及沟道层,其由隧道隔离层包围。
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来源:市场资讯