长鑫科技申请半导体结构的制作方法以及半导体结构专利，可得到具有较高可靠性的半导体器件_电子百科

长鑫科技申请半导体结构的制作方法以及半导体结构专利，可得到具有较高可靠性的半导体器件

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2025-11-27 17:07:11

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国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“半导体结构的制作方法以及半导体结构”的专利，公开号CN 121013326 A，申请日期为2024年5月。

专利摘要显示，一种半导体结构的制作方法以及半导体结构，该半导体结构的制作方法包括：提供衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域；于所述第一区域上形成由多个第一材料层和多个第二材料层交替堆叠的叠层结构；执行第一刻蚀，于所述叠层结构的一端形成凹槽，所述凹槽的底部暴露出所述第二区域；执行第二刻蚀，通过所述凹槽去除部分所述多个第二材料层并保留所述多个第一材料层间隔设置；其中，在执行所述第二刻蚀之前，还包括在所述第二区域的表面形成保护层，且所述保护层还至少朝向所述第一区域的表面延伸。上述方法可以得到具有较高可靠性的半导体器件。

天眼查资料显示，长鑫科技集团股份有限公司，成立于2016年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6019279.7469万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了18家企业，参与招投标项目1082次，财产线索方面有商标信息236条，专利信息605条，此外企业还拥有行政许可34个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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