研微半导体申请半导体反应腔室及其使用方法专利，使半导体反应腔室兼容两种衬底入腔方式_电子百科

研微半导体申请半导体反应腔室及其使用方法专利，使半导体反应腔室兼容两种衬底入腔方式

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2025-11-28 19:37:22

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国家知识产权局信息显示，研微（江苏）半导体科技有限公司申请一项名为“半导体反应腔室及其使用方法”的专利，公开号CN121023468A，申请日期为2024年11月。

专利摘要显示，本发明提供了一种半导体反应腔室及其使用方法，其中反应腔室包括腔体、进气法兰和支撑件；腔体包括腔体本体和固定至腔体本体的第一侧的第一腔室法兰，第一腔室法兰具有第一传输口和第二传输口，第一传输口和第二传输口均被配置为允许衬底从其中通过；进气法兰位于第一腔室法兰的远离腔体本体的一侧，被配置为第一种进气法兰或第二种进气法兰，第一种进气法兰的传片口与第一传输口连通，第二种进气法兰的传片口与第二传输口连通；支撑件部分位于腔体本体内且支撑件用于承载衬底。本发明中腔体的第一腔室法兰具有第一传输口和第二传输口，腔体可适配不同的进气法兰，使半导体反应腔室兼容两种衬底入腔方式，增加半导体反应腔室的应用场景。

天眼查资料显示，研微（江苏）半导体科技有限公司，成立于2022年，位于无锡市，是一家以从事通用设备制造业为主的企业。企业注册资本2868.9738万人民币。通过天眼查大数据分析，研微（江苏）半导体科技有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目10次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息59条，此外企业还拥有行政许可10个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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