联芯集成申请单晶体管双电阻式存储器的结构及其制作方法专利
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2025-11-29 12:35:50
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国家知识产权局信息显示，联芯集成电路制造（厦门）有限公司申请一项名为“单晶体管双电阻式存储器的结构及其制作方法”的专利，公开号CN121038287A，申请日期为2024年5月。专利摘要显示，本发明公开一种单晶体管双电阻式存储器的结构及其制作方法，其中单晶体管双电阻式存储器的结构包含一基底，一晶体管设置基底上，晶体管包含一第一源极/漏极掺杂区埋入于晶体管的一侧的基底中，一第一源极/漏极插塞、一第一金属线、一第一插塞、一第二金属线、一第二下部插塞、一第二电阻式存储器和一第二上部金属线由下至上依序堆叠，其中第一源极/漏极插塞接触第一源极/漏极掺杂区，一第一下部插塞、一第一电阻式存储器和一第一上部金属线由下至上依序堆叠，其中第一下部插塞接触第一金属线。
天眼查资料显示，联芯集成电路制造（厦门）有限公司，成立于2014年，位于厦门市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1619779.4万人民币。通过天眼查大数据分析，联芯集成电路制造（厦门）有限公司参与招投标项目32次，财产线索方面有商标信息8条，专利信息150条，此外企业还拥有行政许可321个。
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