JCET星科金朋韩国申请用于形成半导体装置的方法和设备专利，固化密封剂
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2025-11-29 17:07:03
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国家知识产权局信息显示，JCET星科金朋韩国有限公司申请一项名为“用于形成半导体装置的方法和设备”的专利，公开号CN121034966A，申请日期为2024年5月。专利摘要显示，本申请提供了一种用于形成半导体装置的方法和设备。所述方法包括：提供基底；将至少一个电子元件安装在所述基底的表面上；在所述基底的表面上形成密封剂以密封所述电子元件；将所述基底装载到半导体装置料盒中；以及用微波辐射照射所述密封剂以固化所述密封剂。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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