通富通科申请芯片结构及形成方法、封装结构及方法专利，提高芯片封装结构的可靠性_电子百科

通富通科申请芯片结构及形成方法、封装结构及方法专利，提高芯片封装结构的可靠性

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2025-12-01 12:07:23

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国家知识产权局信息显示，通富通科（南通）微电子有限公司申请一项名为“一种芯片结构及其形成方法、芯片封装结构及其方法”的专利，公开号CN121035087A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本公开实施例提供一种芯片结构及其形成方法、芯片封装结构及其方法，先在芯片的功能面依次堆叠形成第一介电层和第二介电层；对第二介电层进行图形化形成介电层凸块，介电层凸块用于与封装基板的阻焊层开窗相对应，阻焊层开窗内设置有焊盘；对介电层凸块和第一介电层同时进行图形化以形成开口；在开口内形成导电凸起。通过在第一介电层上形成与阻焊层开窗相对应的介电层凸块，并在介电层凸块和第一介电层上形成与焊盘相对应的导电凸起，在芯片贴装时在第一介电层和介电层凸块表面形成的非导电胶层也呈凸起状，从而可在热压焊接过程中，使得呈凸起状的非导电胶层优先填充于阻焊层开窗，排出其中的气体，避免空洞的形成，提高芯片封装结构的可靠性。

天眼查资料显示，通富通科（南通）微电子有限公司，成立于2021年，位于南通市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本80000万人民币。通过天眼查大数据分析，通富通科（南通）微电子有限公司参与招投标项目56次，专利信息14条，此外企业还拥有行政许可35个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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