长鑫科技申请半导体结构专利，半导体结构的翘曲度小
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2025-12-26 12:08:41
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国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“半导体结构和半导体器件”的专利，公开号CN121215649A，申请日期为2024年6月。
专利摘要显示，本申请涉及一种半导体结构和半导体器件，其中半导体结构，包括：衬底；沟槽组，位于衬底内；沟槽组至少包括第一沟槽、第二沟槽、第三沟槽，第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽依次相邻且相互平行设置；第一沟槽的长度小于第三沟槽的长度；接触插塞，至少位于第一沟槽的长度延伸方向。半导体器件，还包括：电容堆叠体，覆盖衬底的表面，并连续的延伸覆盖沟槽组；接触插塞，至少位于第一沟槽、第二沟槽的长度延伸方向，且与电容堆叠体电连接；其中，位于沟槽组的同一个拐角的多个接触插塞构成接触插塞组，每个沟槽组至少设置两个接触插塞组。上述半导体结构和半导体器件，衬底的结构应力小，半导体结构的翘曲度小，半导体器件的等效串联电阻和漏电流小。
天眼查资料显示，长鑫科技集团股份有限公司，成立于2016年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6019279.7469万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了18家企业，参与招投标项目1085次，财产线索方面有商标信息236条，专利信息625条，此外企业还拥有行政许可34个。
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来源：市场资讯
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