韦尔半导体申请SiC MOSFET器件制备方法专利，提高SiC MOSFET的可靠性
创始人
2025-12-26 12:08:53
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国家知识产权局信息显示，上海韦尔半导体股份有限公司申请一项名为“一种SiC MOSFET器件的制备方法及SiC MOSFET器件”的专利，公开号CN121218661A，申请日期为2024年6月。
专利摘要显示，本申请提供了一种SiC MOSFET器件的制备方法及SiC MOSFET器件，本申请通过形成第三注入区包覆所述沟槽的底部，保护所述沟槽中的第二氧化层，减轻所述沟槽的底部的电场集中效应，避免沟槽处发生击穿，出现器件或可靠性失效的问题，从而提高SiC MOSFET的可靠性。
天眼查资料显示，上海韦尔半导体股份有限公司，成立于2007年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本121442.6982万人民币。通过天眼查大数据分析，上海韦尔半导体股份有限公司共对外投资了45家企业，参与招投标项目11次，财产线索方面有商标信息25条，专利信息202条，此外企业还拥有行政许可15个。
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来源：市场资讯
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