国家知识产权局信息显示,华虹半导体制造(无锡)有限公司;华虹半导体(无锡)有限公司申请一项名为“用于晶圆键合的半导体结构及其改善晶圆键合对准的方法”的专利,公开号CN121398602A,申请日期为2025年9月。
专利摘要显示,本发明公开了一种用于晶圆键合的半导体结构及改善晶圆键合对准的方法。所述半导体结构的键合标记包括依次堆叠的对比度增强层和第一介电层,且对比度增强层的光反射率高于第一介电层。所述方法利用该高对比度的键合标记结构实现晶圆的精确对准与键合。本发明通过在键合标记中引入高反射率的对比度增强层,例如氮化硅层,显著提高了标记的光学对比度,从而提升了键合设备的识别精度,减小了对准误差,降低了后续工艺风险,有效提高了产品良率。
天眼查资料显示,华虹半导体制造(无锡)有限公司,成立于2022年,位于无锡市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本402000万美元。通过天眼查大数据分析,华虹半导体制造(无锡)有限公司参与招投标项目376次,专利信息169条,此外企业还拥有行政许可229个。
华虹半导体(无锡)有限公司,成立于2017年,位于无锡市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析,华虹半导体(无锡)有限公司共对外投资了1家企业,参与招投标项目2944次,专利信息1984条,此外企业还拥有行政许可117个。
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来源:市场资讯