硅存储技术申请用于在存储器设备中实施温度补偿的系统和方法专利，使得在第二温度下的一个存储器单元的第二读取电流大致等于一个存储器单元的第一读取电流值_电子百科

硅存储技术申请用于在存储器设备中实施温度补偿的系统和方法专利，使得在第二温度下的一个存储器单元的第二读取电流大致等于一个存储器单元的第一读取电流值

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2026-01-29 15:41:08

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国家知识产权局信息显示，硅存储技术股份有限公司申请一项名为“用于在存储器设备中实施温度补偿的系统和方法”的专利，公开号CN121420355A，申请日期为2023年9月。

专利摘要显示，一种操作存储器单元的方法包括在第一温度下将存储器单元编程为与通过使用标称读取条件确认的第一读取电流值相关联的不同编程状态。确定修改的读取条件，使得在第二温度下的一个存储器单元的第二读取电流大致等于一个存储器单元的第一读取电流值。在第二温度下使用修改的读取条件对存储器单元执行读取操作，以确定相应的第三读取电流值。误差读取电流值被确定为第一读取电流值和第三读取电流值之间的相应差值。将较高编程状态和较低编程状态分配给相应的期望编程状态，其中读取电流大致对应于相应的确定的误差读取电流值，并且大致由与相应期望编程状态相关联的相应目标读取电流值分开。

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来源：市场资讯

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