国家知识产权局信息显示,意法半导体国际公司取得一项名为“电子装置”的专利,授权公告号CN223957882U,申请日期为2024年11月。
专利摘要显示,本公开涉及电子装置。本公开涉及可变沟槽维度区域的形成,包括在顶部平面视图中以条状方式延伸的多个沟槽。较大的沟槽容纳源极多晶场板接触件和多晶栅极区域两者。所有沟槽彼此间隔开恒定的量,以维持预期的场板效应并避免对击穿电压的影响。为了恢复由此产生的较大节距维度,较大节距维度周围的沟槽被形成为较小并且从内沟槽到外沟槽维度减小。这些单元的节距的总和将等同于相同数量的标准单元的节距的总和。以这种方式,对电气性能和效率的影响被限制或甚至避免。
声明:市场有风险,投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成,仅供参考,不构成个人投资建议。
来源:市场资讯