上证报中国证券网讯（记者 何昕怡）3月3日晚间，科创板公司佰维存储披露2026年1-2月经营数据，业绩实现爆发式增长。公司预计1-2月实现营收40亿元至45亿元，同比增长340%至395%；归母净利润15亿元至18亿元，同比扭亏为盈。 佰维存储表示，业绩增长主要是由于2026年存储行业迎来高度景气周期，AI算力与国产化发展驱动DRAM/NAND价格持续上涨，行业供不应求，公司受益显著。同时，为提高公司产品在AI时代的市场竞争力，公司持续加大芯片设计、解决方案、先进封测及测试设备等领域的投入力度。 受AI服务器算力需求拉动与产能周期调整影响，存储芯片价格自2025年下半年以来持续走高并创2016年以来新高，其中DRAM与NAND闪存涨幅尤为显著。此外，模拟芯片、功率半导体等产业环节亦传来涨价信号，科创板公司思特威、华润微等多家芯片设计企业近期密集发布产品涨价函，调价幅度普遍在10%至20%之间，个别高达50%。 业内人士指出，本轮涨价由多重因素共振驱动。在需求端，AI服务器对HBM、DDR5等高端存储需求爆发，叠加消费电子复苏带动通用存储与模拟芯片需求回升；在供给端，存储原厂自去年起持续削减产能、优化库存，模拟芯片行业经历两年去库存后库存水位已降至健康水平；在价格端，晶圆代工及封测环节产能利用率维持高位、部分产品供不应求，产品价格上涨向下游传导，也推动了芯片设计企业提价。半导体产业链各环节已步入“量价齐升”的新阶段，高景气度有望贯穿全年。

上证报中国证券网讯（记者 何昕怡）3月3日晚间，科创板公司佰维存储披露2026年1-2月经营数据，业绩实现爆发式增长。公司预计1-2月实现营收40亿元至45亿元，同比增长340%至395%；归母净利润15亿元至18亿元，同比扭亏为盈。

佰维存储表示，业绩增长主要是由于2026年存储行业迎来高度景气周期，AI算力与国产化发展驱动DRAM/NAND价格持续上涨，行业供不应求，公司受益显著。同时，为提高公司产品在AI时代的市场竞争力，公司持续加大芯片设计、解决方案、先进封测及测试设备等领域的投入力度。

受AI服务器算力需求拉动与产能周期调整影响，存储芯片价格自2025年下半年以来持续走高并创2016年以来新高，其中DRAM与NAND闪存涨幅尤为显著。此外，模拟芯片、功率半导体等产业环节亦传来涨价信号，科创板公司思特威、华润微等多家芯片设计企业近期密集发布产品涨价函，调价幅度普遍在10%至20%之间，个别高达50%。

业内人士指出，本轮涨价由多重因素共振驱动。在需求端，AI服务器对HBM、DDR5等高端存储需求爆发，叠加消费电子复苏带动通用存储与模拟芯片需求回升；在供给端，存储原厂自去年起持续削减产能、优化库存，模拟芯片行业经历两年去库存后库存水位已降至健康水平；在价格端，晶圆代工及封测环节产能利用率维持高位、部分产品供不应求，产品价格上涨向下游传导，也推动了芯片设计企业提价。半导体产业链各环节已步入“量价齐升”的新阶段，高景气度有望贯穿全年。