京东方华灿光电申请发光二极管及其制作方法专利,提高发光二极管的发光效率
创始人
2026-05-06 06:43:26
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国家知识产权局信息显示,京东方华灿光电(浙江)有限公司申请一项名为“发光二极管及其制作方法”的专利,公开号CN121941170A,申请日期为2025年12月。

专利摘要显示,本公开提供了一种发光二极管及其制作方法,属于发光器件领域。该发光二极管包括:外延层、电流阻挡层、透明导电层和第一电极;电流阻挡层位于外延层的表面,透明导电层包括第一透明导电子层和第二透明导电子层;第一透明导电子层包括台阶结构,台阶结构包括相连的台阶顶面、台阶侧壁和台阶底面,台阶顶面覆盖电流阻挡层的表面,台阶侧壁覆盖电流阻挡层的侧壁,台阶底面覆盖电流阻挡层周围的外延层的表面;第二透明导电子层为环形结构,第二透明导电子层位于台阶底面上,且与台阶侧壁紧贴;第一电极位于台阶顶面上,并接触所述第一透明导电子层。

天眼查资料显示,京东方华灿光电(浙江)有限公司,成立于2014年,位于金华市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本380450万人民币。通过天眼查大数据分析,京东方华灿光电(浙江)有限公司共对外投资了3家企业,参与招投标项目42次,专利信息1037条,此外企业还拥有行政许可42个。

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来源:市场资讯

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