长鑫科技申请半导体结构形成方法专利，可减小器件的漏电流
创始人
2026-05-14 04:27:23
0次
国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法、电子设备”的专利，公开号CN122028418A，申请日期为2026年4月。
专利摘要显示，本公开提供了一种半导体结构及其形成方法、电子设备，涉及半导体技术领域。该形成方法包括：提供衬底；在衬底上形成堆叠结构，堆叠结构包括层叠的半导体层和初始牺牲层，堆叠结构具有沟槽，沟槽至少贯穿堆叠结构并露出衬底的部分表面；沿第一方向刻蚀初始牺牲层，以形成牺牲层，牺牲层暴露半导体层的第一部分，半导体层的第一部分的端部构成沟槽的部分侧壁；第一方向平行于衬底；形成第一介质层，第一介质层覆盖牺牲层的端面，且沿第一方向延伸覆盖半导体层的第一部分的部分外侧壁；利用第一介质层，对暴露的半导体层的第一部分进行第一掺杂处理，以形成掺杂区。该方法可减小器件的漏电流，提高器件的性能。
天眼查资料显示，长鑫科技集团股份有限公司，成立于2016年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6019279.7469万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了17家企业，参与招投标项目1079次，财产线索方面有商标信息274条，专利信息658条，此外企业还拥有行政许可39个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
来源：市场资讯
上一篇：卓尔凡出口委内瑞拉单相稳压器SVC-10KVA 宽幅稳压适配低压工况
下一篇：没有了
相关内容
热门资讯
长鑫科技申请半导体结构形成方法...
国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法、电子设备”的专...
卓尔凡出口委内瑞拉单相稳压器S...
# 卓尔凡SVC-10KVA单相稳压器：出口委内瑞拉的宽幅稳压金牌选择，赋能低压工况安心运行 卓尔凡...
芯片初创公司Fractile融...
芯片初创公司Fractile融资2.2亿美元。（华尔街日报）
新时代电子产品的关键部件：深入...
车规晶振、声表晶振和陶瓷晶振在新时代电子产品中、是核心部件发挥着重要的作用。确保汽车系统频率等稳定性...
贵港港北区：“一块电路板”激活...
中新网广西新闻5月13日电（陆宏夏 陆远培）近日，位于广西贵港市港北区的广西马克电路有限公司车间一派...
股票行情快报：联建光电（300...
证券之星消息，截至2026年5月13日收盘，联建光电(300269)报收于6.27元，上涨0.64%...
华为申请图像传感器专利，提高色...
国家知识产权局信息显示，华为技术有限公司申请一项名为“图像传感器、摄像模组及电子设备”的专利，公开号...
讯芯电子申请一种传感器及传感器...
国家知识产权局信息显示，讯芯电子科技（中山）有限公司申请一项名为“一种传感器及传感器的封装方法”的专...
股市必读：快可电子(30127...
截至2026年5月13日收盘，快可电子(301278)报收于41.28元，上涨1.03%，换手率5....
原创 净...
5月11日日本股市盘后，日本IC基板大厂揖斐电（Ibiden）公布了2025财年（2025年4月至2...