苏州泓冠半导体申请场效应管多层封装冶具专利，缩短等待时间
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2025-05-31 11:33:54
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金融界 2025 年 5 月 31 日消息，国家知识产权局信息显示，苏州泓冠半导体有限公司申请一项名为“一种场效应管多层封装冶具”的专利，公开号 CN120072660A，申请日期为 2025 年 03 月。
专利摘要显示，本发明提供一种场效应管多层封装冶具，涉及半导体封装技术领域，包括：治具主体组件；所述治具主体组件包括有顶板、支撑杆和支撑架，支撑杆的底端垂直且固定连接支撑架；所述模具组件设置有两组且分别安装在顶板与移动板之间和移动板与支撑架之间；所述移动板的左右两侧卡接在支撑杆上；所述连接杆固定连接在移动板的内部左右两侧。上方的模具组件完成封装后，移动板下移令下方的模具组件完成合模，通过加热对场效应管进行封装，此时可以将塑封料通过投入口填装到上方的下模件上，进行预备工作，缩短等待时间，解决现有的场效应管封装作业时，需要等待该模具完成后才能继续完成下一模，等待的间隔时间相对较长，降低了作业效率的问题。
天眼查资料显示，苏州泓冠半导体有限公司，成立于2022年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本3000万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州泓冠半导体有限公司专利信息25条，此外企业还拥有行政许可4个。
来源：金融界
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